DDR4 round-up: ADATA, Avexir, Corsair, GSkill, HyperX, Panram si Team Group

DDR3 vs DDR4

Comparativ cu standardul precedent, DDR4 nu este o revolutie din punct de vedere arhitectural ci mai mult o evolutie. In primul rand avem tensiunea de alimentare ce coboara la 1.2v de la 1.5v cat avea DDR3 ce, impreuna cu alte optimizari realizate in arhitectura DDR4, poate scadea cu 10-15W consumul unui sistem desktop performant (lucru mai important in notebook-uri si servere). DDR4L, varianta optimizata pentru ultrabook-uri si alte dispozitive unde avem nevoie de un consum redus, are o tensiune de alimentare specificata de 1.05v fata de cei 1.35v necesari la DDR3L.

In al doilea rand JEDEC specifica frecvente de functionare intre 2133MHz si 3200MHz pentru DDR4, in timp ce DDR3 atingea doar 2133MHz (pe AMD pentru ca Intel limita suportul oficial la 1600MHz sau 1866MHz). Comparatia intre o tehnologie ajunsa la maturitate dupa 8 ani (DDR3) si o tehnologie aflata de-abia la prima generatie (DDR4) este un pic nejustificata.

Fizic modulele DDR4 au aceeasi lungime cu cele DDR3, numai ca au 288 pini in loc de 240 pini ceea ce micsoreaza distanta dintre pini la doar 0.85mm. Pentru a evita situatiile contactului imperfect intre memorii si slotul placii de baza, modulele de memorie DDR4 au un fel de “burta” in partea centrala, vizibila si in poze de altfel. Inaltimea modulelor este acum de 31.25mm (in loc de 30.35mm) iar PCB-ul este mai gros, permitand astfel folosirea mai multor layere.

Comparand specificatiile si preturile in acest moment, DDR4 nu pare deloc atragator dar lucrurile se vor schimba mult in bine atunci cand Skylake va aparea pe piata. S-ar putea ca pana si kiturile actuale sa prinda aripi atunci cand vor intalni siliciul proaspat pe 14nm dornic de razbunare al lui Skylake.

DDR4 este o memorie gandita pentru viitor ce permite densitati mult mai ridicate fata de DDR3. Pentru modulele UDIMM destinate desktop-urilor am avut de la lansare 8GB per modul, de curand devenind disponibile si modulele de 16GB. Standardul in sine permite si suprapunerea celulelor de memorie prin TSV (through-silicon-vias) similar memoriei HBM, pretabile mai degraba in domeniul unde spatiul primeaza (NUC, compute stick, ultrabook, server, etc).

Despre principiile generale de functionare ale memoriei RAM precum si despre cei mai importanti parametrii – latentele – tratate in detaliu am vorbit intr-un round-up anterior asadar nu voi mai relua acest aspect. Pentru cei care nu l-au citit, recomand o lectura inainte de a merge mai departe cu acest articol.